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La firma surcoreana Samsung anunció que se encuentra fabricando nuevas memorias NAND flash de 16 Gb, a través del uso de la tecnología 51 nanómetros (nm).

Según la compañía, estas plataformas son hasta un 60% más eficaces que las de sus competidores y logran una mejora del 80% en la tasa de velocidad de lectura y escritura.

El nuevo chip de 16Gb lee y escribe datos en unidades llamadas “páginas”. Mientras que la memoria flash de 60nm procesa páginas de 2 KB, la versión de 51nm lo hace en unidades de 4 KB.

Por otro lado, y al igual que el modelo de 60 nm, el flamante producto de Samsung también dispone del código de 4 bits capaz de corregir errores, que permite que los usuarios sigan utilizando las interfaces de sistemas ya existentes.

La empresa surcoreana también planea ofrecer una suite optimizada de software flash y dispositivos de almacenaje incorporados, tanto para teléfonos aptos para contenidos musicales, como para reproductores MP3.

Asimismo, la página web de Samsung señala que los fabricantes que deseen usar estos chips en sus teléfonos o dispositivos MP3, ya disponen de las herramientas necesarias para actualizar el firmware de sus equipos.