Samsung usará memorias de 3GB de RAM en sus nuevos móviles de gama alta

24 julio, 2013
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Samsung pretende dejar obsoleta la barrera de los 2 GB de RAM, al menos en los ‘smartphones’ de gama alta. Para ello yaha comenzado a fabricar sus nuevas memorias LPDDR3 de 3GB, unos chips que con 0,8 mm de grosor podrán colocarse en dispositivos de cualquier tamaño, con menor consumo y espacio.

Según un comunicado de prensa, Samsung Electronics ha anunciado la primera producción en masa en la industria de chips de memoria de 3GB de RAM, la mayor para móviles ‘smartphones’ de última generación, lo que traerá un cambio de generación en el mercado de las memorias de 2GB que se utilizan en los dispositivos móviles actuales de mayor gama.

Estos chips incorporan, además, una tecnología de 20 nm que permitirá que las transferencias sean más rápidas, siempre y cuando haya un par de canales simétricos para que la transferencia pueda fluir de forma ininterrumpida. El chip conecta con un procesador de aplicación móvil usando dos canales de transferencia de datos simétricos, cada uno conectado a una parte de almacenamiento de 1,5 GB. La estructura simétrica evita caídas de rendimiento, pues consigue maximizarlo a nivel de sistema.

Las nuevas soluciones de memoria ultra-delgadas de Samsung permitirán, asimismo, diseños de smartphones más delgados y la posibilidad de dejar un espacio para una batería adicional, al tiempo que ofrece una velocidad de transferencia de datos de hasta 2133 megabits por segundo (Mbps).

Samsung afirma, desde su página web, que los primeros modelos de ‘smartphone’ (aunque no ha dicho exactamente qué modelos) con una RAM de 3 GB llegarán al mercado, aproximadamente, para el mes de septiembre.

"Las RAM de 3GB se adoptarán en poco tiempo para todos los dispositivos, y esto empezará a partir del segundo semestre de este año. La completa integración a nivel mundial en todos los teléfonos inteligentes de gama alta se producirá a partir del próximo año", dijo el vicepresiente ejecutivo de ventas y marketing de memorias de Samsung, Young- Hyun Jun. "Estos nuevos chips aumentarán de forma notable el rendimiento de los ‘smartphones’ antes de fin de año".

Con el aumento de la capacidad RAM en el móvil, los usuarios podrán disfrutar de alta calidad, reproducción continua de vídeo Full HD y un modo multitarea más rápido. Además, la nueva velocidad LPDDR3 permite una mayor y mejorada descarga de datos y es capaz de ofrecer soporte completo para el servicio LTE-A (LTE Advanced), un estándar de telecomunicaciones móviles de próxima generación.

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    1. giorat23 on 25 julio, 2013 at 8:38 am

      Mucha memoria para después correr a los tirones lleno de lagg como en el S4 .. optimización de hardware con software no memoria a lo bruto y núcleos y más núcleo es lo que se necesita..sino miren el iPhone 5.. mucho más fluido que el S4

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